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    美打壓華為致3nm工藝延期半年?臺積電:一切正常

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    美打壓華為致3nm工藝延期半年?臺積電:一切正常

    發布日期:2020-06-04 作者:網友 點擊:

    臺積電3nm是5nm之后的下一代節點,官方信息顯示3nm工藝晶體管密度達到了破天荒的2.5億/mm?,而5nm工藝不過是1.8億/mm2,而3nm性能較5nm提升7%,能耗比提升15%。
      
      工藝上,臺積電評估多種選擇后認為現行的FinFET工藝在成本及能效上更佳,所以3nm首發依然會是FinFET晶體管技術。
      
      日前有傳聞稱,美國打壓華為,導致先進工藝需求放緩,臺積電不僅減少了7nm、5nm工藝的產能,同時3nm工藝也延期2個季度,到2021年Q3季度才會風險試產,整體進度也會因此晚上半年。
      
      不過臺積電今天否認傳聞,表示一切按照計劃進行,3nm工藝如期在2021年Q1季度試產,2022年下量產

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